【摘要】 本发明涉及纳米二氧化钛，其含有：A)作为基体的半导体材料掺杂的纳米二氧化钛，其中半导体材料选自钨、铌、铬、铟、锡、锶、铁、钒、镓、锗或锌的氧化物，在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体中二氧化钛与以金属氧化物计的半导体材料的重量比为60∶40-96∶4，半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的粒径不大于100nm；B)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体表面上的共轭体系有机物；和C)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体上的萜烯化合物；其中共轭体系有机物的含量基于所述半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的重量为0.01-20重量％；萜烯化合物的含量基于半导体材料掺杂的纳米二氧化钛的重量为0.5-10重量％。本发明还涉及制备所述纳米二氧化钛的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏考普乐新材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213135 江苏省常州市新北区西夏墅镇微山湖路36号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010517715.6 【申请日】2010-10-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101985363A 【公开公告日】2011-03-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101985363B 【授权公告日】2012-12-12 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01G23/047; B82B3/00 【发明人】徐瑞芬; 马卓尔; 于义龙; 解双英; 张星 【主权项内容】一种纳米二氧化钛，所述纳米二氧化钛含有：A)作为基体的半导体材料掺杂的纳米二氧化钛，其中半导体材料选自钨、铌、铬、铟、锡、锶、铁、钒、镓、锗或锌的氧化物，优选铁、锌、钒或锡的氧化物，在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体中二氧化钛与以金属氧化物计的半导体材料的重量比为60∶40‑96∶4，优选65∶35‑90∶10，半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的粒径不大于100nm，优选不大于50nm；B)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体表面上的共轭体系有机物；和C)包覆在半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体上的萜烯化合物；其中共轭体系有机物的含量基于所述半导体材料掺杂的纳米二氧化钛基体的重量为0.01‑20重量％，优选0.05‑15重量％，更优选0.1‑10重量％；萜烯化合物的含量基于半导体材料掺杂的纳米二氧化钛的重量为0.5‑10重量％，优选1‑8重量％，更优选2‑7重量％。。 （，） 【当前权利人】江苏考普乐新材料股份有限公司 【当前专利权人地址】中国江苏省常州市新北区西夏墅镇微山湖路36号 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】91320400768252379G 【引证次数】3.0 【被引证次数】8 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8

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