【摘要】 本发明涉及一种多晶铸锭晶体生长工艺，特别是在晶体生长末期中心长晶透顶触发前的第一个适当时间段内降低温降速率并缓慢下移隔热笼、在第二个适当时间段内引入温升速率升温并较快速下移隔热笼对硅熔体保温抑制杂质过早形核生长，随之触发中心长晶透顶报警。采用本发明在晶体生长过程中可以有效地克服在晶体生长末期阶段组分长时过冷，抑制硅熔体中碳、氮杂质过早形核生长，使其主要富集于晶锭头部低少子寿命切除层中，从而提高产品良率。本发明可以很好地抑制硅熔体中杂质过早形核，使碳、氮等杂质主要形核富集于晶体头部低少子寿命切除区，近而提高产品良率，进一步降低生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010238290.5 【申请日】2010-07-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101974780A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】C30B28/06; C30B29/06 【发明人】李会吴; 周基江; 陈方芳 【主权项内容】一种多晶铸锭晶体生长工艺，其特征在于包括以下步骤：在长晶后期减小温降速率、下移隔热笼、适时引入温升速率升温来避免组分过冷抑制杂质过早形核而使其形核生长于晶锭头部低少子寿命截除区。 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】6.0 【被引证次数】2 【他引次数】6.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2

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