【摘要】本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法,其制作方法为:将硅片清洗制绒后进行一次重扩散,在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜,然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料,或者,重扩散后直接在硅片表面场区部分印刷刻蚀S
【摘要】 本实用新型涉及一种过滤器,包括一端为滤液进口、另一端为滤液出口的过滤壳体,以及设置在过滤壳体内的过滤网,还包括设置在壳体内的转轴,所述转轴一端设置在过滤壳体内壁,另一端穿过过滤壳体伸到过滤壳体外部,所述过滤网设置在转轴上。本实用新型结构简单、使用方便。 【专利类型】实用新型 【申请人】左林林 【申请人类型】个人 【申请人地址】213126 江苏省常州市新北区春江镇小店村67号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201020217257.X 【申请日】2010-06-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201750976U 【公开公告日】2011-02-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201750976U 【授权公告日】2011-02-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B01D35/00 【发明人】左林林 【主权项内容】一种过滤器,包括一端为滤液进口、另一端为滤液出口的过滤壳体,以及设置在过滤壳体内的过滤网,其特征在于:还包括设置在壳体内的转轴,所述转轴一端设置在过滤壳体内壁,另一端穿过过滤壳体伸到过滤壳体外部,所述过滤网设置在转轴上。。 【当前权利人】左林林 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区春江镇小店村67号
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