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具有ESD保护电路的液晶显示装置及其制造方法专利

时间:2026-05-31    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 氧化硅膜(31)上的各源电极和漏电极均具有ITO膜(32)、透明电极以及形成在ITO膜(32)上的金属膜(33)的双层结构。没有源极和漏极区域的间隙(35)形成在源电极和漏电极之间。氮化硅膜(34)(栅极绝缘膜)形成在源电极和漏电极上以及间隙(35)中。氮化硅膜(34)是具有相对大的厚度的第一区域D1和具有相对小的厚度的区域D2。氮化硅膜(34)的区域D2具有MIM结构。栅极总线层(36)形成在氮化硅膜(34)上。MIM结构形成在第二区域D2中。 【专利类型】发明申请 【申请人】统宝香港控股有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】香港特别行政区 【申请号】CN200480039792.8 【申请日】2004-12-14 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100407031C 【公开公告日】2008-07-30 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100407031C 【授权公告日】2008-07-30 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】G02F1/1362 【发明人】田中秀夫 【主权项内容】1.一种具有ESD保护电路的液晶显示装置,包括: 源电极和漏电极,经过层间绝缘膜形成在绝缘衬底上; 栅极绝缘膜,在所述源电极和所述漏电极上部分地具有相对薄的薄膜部分; 以及 栅极总线层,形成在至少包括所述薄膜部分的所述栅极绝缘膜上, 其中MIM结构由所述源电极和漏电极、所述栅极绝缘膜中的所述薄膜部 分以及所述栅极总线层构成。 【当前权利人】统宝香港控股有限公司 【当前专利权人地址】中国香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】21.0 【家族被引证次数】11.0

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