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一种高功率微波波导开关专利

时间:2026-05-26    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种适用高功率甚至超高功率微 波系统中应用的波导开关。本发明通过把波导开关的转子和定 子做成同锥度的锥形圆台面,使它们之间构成紧密接触,改动 配合为紧配合,从而消除高功率微波传输时的打火现象,同时 减小开关的传输损耗,减小开关的发热现象,降低反射,使微 波传输性能大为改善,从而使这种开关能在高功率甚至超高功 率微波系统中应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054四川省成都建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN98112091.1 【申请日】1998-06-18 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239838A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1105402C 【授权公告日】2003-04-09 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01P1/12; H01P1/10 【发明人】王文祥; 孙嘉鸿; 张兆镗 【主权项内容】1.一种高功率微波波导开关,其特征是:该波导开关中的定子 的内表面和转子的外表面为同锥度锥形圆台面。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【引证次数】1.0 【被引证次数】5.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5.0

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