【摘要】 本发明属于液晶显示技术领域, 是一种多畴结构 铁电液晶器件的制备工艺。采用有机半导体化合物掺杂方法对 聚合物取向层进行改性, 改善其定向能力。掺杂化合物为酞菁或 萘酞菁, 掺杂母体为聚酰亚胺酸, 掺杂摩尔比为0.1∶1～20∶ 1。由本方法制备的铁电液晶器件, 其液晶初始排列呈均匀的多 畴结构, 改进了铁电液晶的对比度和双稳记忆性, 并具有很好的 稳定性。本发明工艺简单, 操作方便, 可以用于大批量、商业化 生产。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】复旦大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200433上海市邯郸路220号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】普陀区 【申请号】CN98110765.6 【申请日】1998-04-02 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1204066A 【公开公告日】1999-01-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1085346C 【授权公告日】2002-05-22 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】G02F1/133; C09K19/38; G02F1/13; G02F1/1337 【发明人】吕瑞波; 徐克 【主权项内容】1、一种多畴结构铁电液晶器件的制备方法，采用有机半导体化合物掺杂方法，通过 对聚合物取向层的改性来改善取向层的定向能力，其特征在于采用的有机化合物为酞菁 或萘酞菁，以0．1∶1～20∶1摩尔比掺杂于聚酰亚胺酸溶液中，然后旋涂于导电玻璃基片 上，在140～160℃高温下预烘，经亚胺化后获得掺杂聚酰亚胺膜，再对覆有膜层的导 电玻璃表面进行摩擦，两片经相似处理过程的导电玻璃基片按相同的摩擦方向面对面叠 加放置，四边用聚合物微珠作间隔分开，铁电液晶在各向同性状态下注入基片间隙，降 至室温后把基片封固。 （，） 【当前权利人】复旦大学 【当前专利权人地址】上海市邯郸路220号 【统一社会信用代码】12100000425006117P 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4.0

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