【摘要】 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的 工艺。通常采用的表面牺牲层工艺, 在腐蚀后的清洗干燥过程中, 多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶 硅结构制备的过程中, 同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱 并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜, 或两次都利用 光刻胶作为掩膜, 腐蚀牺牲层, 干法刻出多晶硅结构, 并同时把多 晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计, 彻底克服了粘附效应, 适合于批量生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区中关村北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98102573.0 【申请日】1998-07-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1211064A 【公开公告日】1999-03-17 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1054468C 【授权公告日】2000-07-12 【授权公告年份】2000.0 【IPC分类号】H01L21/02 【发明人】肖志雄; 郝一龙; 张国炳; 李婷; 张大成; 刘诗美; 李志宏; 陈文茹; 武国英; 王阳元 【主权项内容】1、一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺，其特征是包括如下步骤： 1)在多晶硅结构制备过程中，同时形成与衬底相连的多晶硅支柱(13)； 2)随后，利用氮化硅薄膜作为多晶硅结构的掩膜，再用光刻胶作为刻腐 蚀孔的掩膜，刻出腐蚀孔，去胶后进行牺牲层腐蚀，清洗干燥后利用已有的氮 化硅掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时把多晶硅支柱去除，最后干法刻除氮 化硅掩膜；或利用光刻胶作为第一次掩膜，刻出腐蚀孔，去胶并进行牺牲层腐 蚀，清洗甩干后，再用光刻胶作为第二次掩膜，干法刻出多晶硅结构，并同时 把多晶硅支柱(13)去除。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】3.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】6.0

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