【摘要】本发明属单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜的类P -N结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压, 六角氮化硼作 源加射频功率, 氩气作工作气体, 在衬底上沉积c-BN薄膜, 二者 间形成类P-N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明 在形
【摘要】 省略其它视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】吉林省三鸣乳业有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】130111吉林省长春市西环路115号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】绿园区 【申请号】CN98321742.4 【申请日】1998-07-17 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3108613D 【公开公告日】1999-04-28 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3108613D 【授权公告日】1999-04-28 【授权公告年份】1999.0 【发明人】王照捷; 廖中兴 【主权项内容】无 【当前权利人】吉林省三鸣乳业有限公司 【当前专利权人地址】吉林省长春市西环路115号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】912201042452110096
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