【摘要】 本发明属一种半导体元件的制备方法, 特别涉及c －BN/金刚石薄膜异质P－N结的制备方法。采用直接合成片 状立方氮化硼单晶, 再用热灯丝化学气相沉积方法, 通过B掺杂 在N型片状c－BN单晶衬底上生长P型金刚石薄膜中获得P －N型。N型c－BN单晶可通过在高压合成c－BN原料中掺 Si或对合成的纯净片状c－BN单晶扩散Si得到。本发明工艺 过程简单, 加工难度小, 产品重复性好, 生产效率高, 得到的P－N 结具有优良的V－A特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130012吉林省长春市朝阳区前卫路10号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98116919.8 【申请日】1998-08-22 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1206931A 【公开公告日】1999-02-03 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1050445C 【授权公告日】2000-03-15 【授权公告年份】2000.0 【IPC分类号】H01L21/18; H01L21/00; H01L21/02 【发明人】张铁臣; 高春晓; 王成新; 季艳菊; 邹广田 【主权项内容】1、一种立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法，包括有合成 立方氮化硼单晶——硅扩散——制备掺硼金刚石薄膜等工艺过程，其特征在于， 所说的合成立方氮化硼单晶，是以六角氮化硼为原料，用含锂、硼、氮元素的触 媒，在1800～2000K温度、5～7GPa条件下，在六面顶压机腔体内保压3～40分钟， 直接得到片状立方氮化硼单晶；所说的硅扩散，是将清洗处理后的立方氮化硼单 晶片放在装硅粉的坩埚中，在高温真空中进行，或在合成立方氮化硼单晶片时， 于原料中加硅粉，直接合成掺硅的N型立方氮化硼单晶片，或在沉积金刚石薄膜 时，在立方氮化硼单晶衬底下垫硅片，与沉积金刚石薄膜同时对衬底进行硅扩散； 所说的制备掺硼金刚石薄膜，是采用热灯丝化学气相沉积方法，在生长室内放硼 粉，使生长金刚石膜含硼而形成P型金刚石薄膜。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市朝阳区前卫路10号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【被引证次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】4.0

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