【摘要】 本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二NMOS管相连，第一NMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三NMOS管相连，第四NMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用NMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。 该数据由<>整理 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210060504.3 【申请日】2012-03-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102544067B 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102544067B 【授权公告日】2014-01-29 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/74 【发明人】郑剑锋; 韩雁; 马飞; 董树荣; 吴健; 苗萌; 曾杰 【主权项内容】一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括：P衬底层(10)和四个NMOS管；所述的P衬底层(10)上从左到右依次设有第一N阱(21)、P阱(23)和第二N阱(22)，所述的P阱(23)与第一N阱(21)和第二N阱(22)并排相连；所述的第一N阱(21)上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区(41)、第一P+有源注入区(51)和第二N+有源注入区(42)；所述的第二N阱(22)上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区(43)、第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)；所述的第一N+有源注入区(41)与第一P+有源注入区(51)、第一P+有源注入区(51)与第二N+有源注入区(42)、第二N+有源注入区(42)与第三N+有源注入区(43)、第三N+有源注入区(43)与第二P+有源注入区(52)以及第二P+有源注入区(52)与第四N+有源注入区(44)均通过浅槽(3)隔离；所述的第一N+有源注入区(41)和第一P+有源注入区(51)通过第一金属电极(61)相连，所述的第二P+有源注入区(52)和第四N+有源注入区(44)通过第二金属电极(62)相连；所述的第三N+有源注入区(43)与第二NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第一金属电极(61)相连；所述的第二N+有源注入区(42)与第三NMOS管的漏极相连，第四NMOS管的源极与第二金属电极(62)相连；第一NMOS管的栅极、漏级、阱电极和第二NMOS管的栅极、源极、阱电极六极共连，第三NMOS管的栅极、源极、阱电极和第四NMOS管的栅极、漏级、阱电极六极共连。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【自引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

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