【摘要】 本发明涉及一种多组件的芯片封装结构，包括，位于底层的第一组件；位于所述第一组件之上的至少一个第二组件；所述第二组件之间相互间隔排列，并且互相不接触；层叠在所述第二组件之上的至少一个第三组件；所述第三组件位于所述第二组件的外侧，所述第三组件以及所述第三组件与所述第二组件互相分离，不接触；每一所述第二组件通过第一组突起结构电性连接至所述第一组件；所述第三组件通过位于所述第二组件的外侧的第二组突起结构电性连接至所述第一组件。 【专利类型】发明授权 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210537699.6 【申请日】2012-12-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103000608B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103000608B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/495 【发明人】谭小春 【主权项内容】一种多组件的芯片封装结构，其特征在于，包括，位于底层的第一组件；位于所述第一组件之上的至少一个第二组件；层叠在所述第二组件之上的至少一个第三组件；每一所述第二组件通过第一组突起结构电性连接至所述第一组件；其中，所述第三组件包括第一直线部分和至少一第一弯折部分；所述第一直线部分位于所述第二组件的上方，并与所述第二组件不接触；所述第一弯折部分的第一端与所述第一直线部分连接；所述第一弯折部分的第二端通过第二组突起结构连接至所述第一组件；所述第三组件包括一芯片或一磁性元件，所述芯片括所述第一直线部分和所述第一弯折部分，所述磁性元件包括所述第一直线部分和所述第一弯折部分；所述第三组件，所述第一组件和所述第二组突起结构组成一弯折部分。 【当前权利人】合肥矽迈微电子科技有限公司 【当前专利权人地址】安徽省合肥市高新区习友路3699号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【他引次数】6.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】27.0 【家族被引证次数】15

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