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一种以氧化铬弥散强化铜为基体的铜铬触头材料的制造方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 一种以氧化铬弥散强化铜为基体的铜铬触头材料的制造方法,步骤如下:1、铜铬合金粉料的制备:电解铜和铬按一定比例秤重,在真空雾化设备中熔炼、雾化,制得-100目的铜铬合金粉;2、铜铬合金粉料内氧化制备氧化铬弥散强化铜粉:上述制得的铜铬合金粉在空气中预氧化后,再在850~950℃低真空内氧化6~10小时,所得料粉碎过100目筛;3、上述内氧化后的粉料在400~600℃温度下氢气中还原,所得料粉碎过100目筛;4、铬粉的制备:将高纯铬块粉碎制得-120目的铬粉备用;5、上述备用的两种粉末按比例混合、压制、烧结及复压、复烧,最终制得所要求的以氧化铬弥散强化铜为基体的铜铬触头材料。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江亚通金属陶瓷有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310011 浙江省杭州市莫干山路1418号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】拱墅区 【申请号】CN201210552206.6 【申请日】2012-12-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103255311B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103255311B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C22C9/00; C22C1/04; C22C1/10; H01H1/025 【发明人】丁枢华; 余贤旺; 方敏 【主权项内容】1.一种以氧化铬弥散强化铜为基体的铜铬触头材料的制造方法,其特征在于它采用如下步骤: 步骤1,铜铬合金粉料的制备:电解铜和铬按一定比例秤重,其中铬的含量控制在0.3~1.2%范围内,然后在真空雾化设备中熔炼、雾化,制得-100目的铜铬合金粉; 步骤2,铜铬合金粉料内氧化制备氧化铬弥散强化铜粉:上述制得的铜铬合金粉在空气中预氧化后,再在850~950℃、1×10-1~5×10-2Pa的低真空内氧化6~10 小时,所得料粉碎过100目筛;或上述制得的铜铬合金粉直接在800~900℃、8×10-1~8×10-2Pa的低真空内氧化8~15 小时,所得料粉碎过100目筛; 步骤3,上述内氧化后的粉料在400~600℃温度下氢气中还原,所得料粉碎过100目筛; 步骤4,铬粉的制备:将高纯铬块粉碎制得-120目的铬粉备用; 步骤5,上述备用的两种粉末按比例混合、压制、烧结及复压、复烧,烧结和复烧温度控制在900℃-1050℃,保温1-3小时,压制和复压在900MPa-1400MPa压力下进行,最终制得所要求的以氧化铬弥散强化铜为基体的铜铬触头材料。 【当前权利人】浙江省冶金研究院有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市拱墅区莫干山路1418-22号(上城科技工业基地) 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5

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