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一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法,将制得的浆料通过成型、冷等静压的方法得到陶瓷胚体,再通过调节烧结过程中的升温程序得到高质量的靶材,然后通过磁控溅射方法得到含钛共掺杂的氧化锌基导电薄膜,所得到的导电薄膜具有高的折射率,在硅基薄膜太阳能电池中应用可以提升与硅薄膜折射率的匹配度,减小光在界面处的反射,进而提高电池效率。该方法制备含钛共掺杂氧化锌基透明导电薄膜所用的原料便宜,操作简单,适于规模生产,具有良好的太阳电池及光电应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】镇海区 【申请号】CN201210172083.3 【申请日】2012-07-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102747334B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102747334B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/08 【发明人】宋伟杰; 魏铁峰; 杨晔; 张贤鹏; 黄金华; 兰品军; 朱科 【主权项内容】1.一种氧化锌基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括:(1)将混合氧化物粉体、水和高分子添加剂按照重量比100 : 40~80 : 1~3的比例混匀以形成稳定的浆料;所述的混合氧化物粉体以重量百分比计,组成为:ZnO 96~98%MaOb 1~2%TiO2 0~3%所述的ZnO、MaOb和TiO2纯度均至少为99.99%,所述的MaOb选自Al2O3、Ga2O3、In2O3或者B2O3;所述的高分子添加剂选自聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸铵中至少一种;(2)将步骤(1)得到的浆料经除气、成型、烘干后,经冷等静压形成陶瓷坯体;(3)将步骤(2)得到的陶瓷坯体,在空气气氛下从室温升温到1300~1500℃下烧结120~480分钟,冷却后经过机加工和打磨得到用于磁控溅射的陶瓷靶材;(4)将步骤(3)得到的陶瓷靶材,采用磁控溅射的方法在玻璃基片上沉积,得到所述的导电薄膜,溅射过程的参数为:基础真空为1×10-4Pa~5×10-4Pa,溅射气体为氩气,溅射压强0.1-1Pa,溅射功率密度为2~10W/cm2,溅射时间为60-180min;步骤(3)中所述升温的过程如下:从室温5℃~10℃/min升到800~1100℃下保温60~120min,再经1~2℃/min升温到1300~1500℃,并保温120~480min,随炉冷却。 【当前权利人】森祥(宁波)新材料有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市海曙区望春工业园区布政东路367号 【统一社会信用代码】121000007178168758 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】13

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