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一种半导体钝化层处理方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供一种半导体钝化层处理方法,它包括把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜,在一个半导体芯片上,等离子体化学气相淀积SiN—多晶硅复合薄膜中的SiN层,有保护半导体金属引线不受划伤,在温度范围145℃-660℃内防止多晶硅薄膜中的H逸出,使用金属—介质复合可有效防止高频损坏对管芯。本发明设计一种半导体钝化层处理方法,主要作用就是保护器件,有很好的防潮和防水的能力,同时能够防止内金属的后腐蚀,防潮能减少漏电流,也能有效防止高频损坏管芯。 【专利类型】发明申请 【申请人】裴芳 【申请人类型】个人 【申请人地址】315112 浙江省宁波市鄞州区五乡镇中洲路288号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】鄞州区 【申请号】CN201210238998.X 【申请日】2012-07-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103545198A 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/318 【发明人】裴芳 【主权项内容】1.一种半导体钝化层处理方法,等离子体化学气相淀积的Si N薄膜和多晶硅薄膜,它是将把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜,其特征在于:在一个半导体芯片上,等离子体化学气相淀积Si N —多晶硅复合薄膜中的表面钝化工艺方法。 【当前权利人】裴芳 【当前专利权人地址】浙江省宁波市鄞州区五乡镇中洲路288号

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