【摘要】 一种靶材检测方法，包括：提供靶材；沿垂直靶材溅射面方向切割靶材，获得至少三个靶材试样，靶材试样的切面为靶材断面；对所有靶材试样的靶材断面进行腐蚀处理；沿垂直靶材溅射面方向对每一个腐蚀处理过的靶材断面进行多次取图，对应每一个靶材断面得到多张晶粒分布图片；使用直线截点法对每一张晶粒分布图片进行分析，每一张晶粒分布图片获得一个平均晶粒度；根据所有平均晶粒度判断靶材是否合格。本发明技术方案可以定量、精确判断靶材的组织结构是否均匀分布，尤其针对小晶粒及晶粒间大小相差不大却仍有一定差异的靶材断面，也能达到较好的检测效果，并提前预判靶材的质量如何，提高半导体靶材在溅射过程中的使用质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】宁波江丰电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN201210594763.4 【申请日】2012-12-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103913416A 【公开公告日】2014-07-09 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G01N21/00; G01N1/32 【发明人】姚力军; 相原俊夫; 大岩一彦; 潘杰; 王学泽; 张金林 【主权项内容】一种靶材检测方法，其特征在于，包括：提供靶材；沿垂直靶材溅射面方向切割靶材，获得至少三个靶材试样，所述靶材试样的切面为靶材断面；对所有靶材试样的靶材断面进行腐蚀处理；沿垂直靶材溅射面方向对每一个腐蚀处理过的靶材断面进行多次取图，对应每一个靶材断面得到多张晶粒分布图片；使用直线截点法对每一张晶粒分布图片进行分析，每一张晶粒分布图片获得一个平均晶粒度；根据所有平均晶粒度判断靶材是否合格。 【当前权利人】宁波江丰电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 【引证次数】6.0 【被引证次数】4 【自引次数】5.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4

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