【摘要】本发明公开了一种伞用离合式摇把手,所述摇把手设置在伞杆上,包括:把手(1),离合器活动块(2),离合器固定块(3),转轴(4),所述离合器活动块(2)具有多个凹槽或孔(12),和多个凹槽或孔(5)配合的单向跳齿结构固定在所述离合器固
【摘要】 本发明公开了一种预热式电子镇流器控制芯片,包括封装体,封装体中封装设置有模式控制电路、压控振荡器及半桥驱动电路,模式控制电路具有预热频率控制端和预热时间控制端,压控振荡器具有运行频率控制端,应用时模式控制电路根据预热时间控制端处的电压和预热频率控制端处的电压,输出一个用于决定压控振荡器的振荡频率的电压信号,使芯片依次工作于软启动、恒频预热、点亮和运行模式,在芯片进入工作状态后芯片的工作频率由最大频率平滑减低到预热频率,再以恒定频率进行预热,再由恒定频率平滑减低到运行频率,由于采用了恒频预热方式且频率变化平滑,因此在相同预热时间内预热效果更好,缩短了预热时间,且保证了节能灯的开关次数和使用寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】日银IMP微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315040 浙江省宁波市科技园区杨木契路578弄7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请号】CN201210217140.5 【申请日】2012-06-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102752949B 【公开公告日】2014-08-20 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102752949B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】F21S9/02; H05B41/36; H05B41/282 【发明人】孙腾达 【主权项内容】一种预热式电子镇流器控制芯片,包括封装体,其特征在于所述的封装体中封装设置有模式控制电路、压控振荡器及半桥驱动电路,所述的模式控制电路用于实现该芯片的恒频预热,所述的模式控制电路具有预热频率控制端和预热时间控制端,所述的压控振荡器具有运行频率控制端,所述的预热频率控制端与芯片外接的预热频率设置电阻连接,所述的预热时间控制端与芯片外接的预热时间设置电容连接,所述的运行频率控制端与芯片外接的运行频率设置电阻连接,所述的模式控制电路的输出端与所述的压控振荡器的信号控制端连接,所述的压控振荡器的输出端与所述的半桥驱动电路的输入端连接,所述的半桥驱动电路的高侧驱动信号输出端和所述的半桥驱动电路的低侧驱动信号输出端分别与外部应用电路的功率器件连接;所述的模式控制电路根据所述的预热时间控制端处的电压和所述的预热频率控制端处的电压,输出一个用于决定所述的压控振荡器的振荡频率的电压信号,并提供该电压信号给所述的压控振荡器,所述的压控振荡器产生一个方波信号,并传输该方波信号给所述的半桥驱动电路,所述的半桥驱动电路输出高侧驱动信号和低侧驱动信号驱动外部应用电路的功率器件;所述的模式控制电路包括第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第二RS触发器、第三RS触发器、第一或非门、第二或非门、反相器、第一电流源、第二电流源、第三电流源、电流沉、第一PMOS开关管、第二PMOS开关管、第三PMOS开关管、第一NMOS开关管、第二NMOS开关管和二选一数据选择器,所述的第一比较器的负输入端接入4.8V电压,所述的第一比较器的正输入端和所述的第二比较器的负输入端连接,且其公共连接端为所述的预热时间控制端,所述的第二比较器的正输入端为所述的预热频率控制端,所述的第一比较器的输出端分别与所述的第一RS触发器的R输入端及所述的第二RS触发器的S输入端连接,所述的第二比较器的输出端分别与所述的第一RS触发器的S输入端、所述的第三RS触发器的S输入端、所述的反相器的输入端及所述的第二或非门的第二输入端连接,所述的第二RS触发器的R输入端接入复位信号,所述的第三RS触发器的R输入端与所述的第二RS触发器的Q非输出端连接,所述的第一RS触发器的Q输出端与所述的第一或非门的第一输入端连接,所述的第三RS触发器的Q输出端分别与所述的第一或非门的第二输入端及所述的第二或非门的第一输入端连接,所述的第三RS触发器的Q非输出端与所述的第二PMOS开关管的栅极连接,所述的第一或非门的输出端分别与所述的第一PMOS开关管的栅极及所述的第一NMOS开关管的栅极连接,所述的第一NMOS开关管的源极与所述的电流沉的负端连接,所述的电流沉的正端接芯片地,所述的第一NMOS开关管的漏极分别与所述的第一PMOS开关管的漏极、所述的第二PMOS开关管的漏极、所述的第三PMOS开关管的漏极及所述的第二NMOS开关管的漏极连接,且其公共连接端分别与所述的第一比较器的正输入端和所述的第二比较器的负输入端的公共连接端及所述的二选一数据选择器的第一输入端连接,所述的第二NMOS开关管的栅极接入复位信号,所述的第二NMOS开关管的源接芯片地,所述的第三PMOS开关管的栅极与所述的反相器的输出端连接,所述的第一PMOS开关管的源极与所述的第一电流源的正端连接,所述的第二PMOS开关管的源极与所述的第二电流源的正端连接,所述的第三PMOS开关管的源极与所述的第三电流源的正端连接,所述的第一电流源的负端、所述的第二电流源的负端和所述的第三电流源的负端均接芯片电源电压,所述的二选一数据选择器的第二输入端与所述的第二比较器的正输入端连接,所述的二选一数据选择器的控制端与所述的第二或非门的输出端连接,所述的二选一数据选择器的输出端为所述的模式控制电路的输出端。 【当前权利人】中芯集成电路(宁波)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】913302017421681442 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
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