【摘要】 本发明提供了一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚；将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于坩埚生胚的内壁和外壁，干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚；将喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚进行气压烧结，得到坩埚熟坯；将坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除，得到氮化硅坩埚。该制备方法制得的氮化硅坩埚含有较少的碳、氧等杂质，使用其制备硅晶能够显著降低硅晶中碳、氧等杂质的含量，提升硅晶的品质，利于其应用。本发明还提供了一种氮化硅坩埚，其外壁喷涂有二氧化硅涂层。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN201210098273.5 【申请日】2012-04-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103360077B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103360077B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C04B35/584; C04B35/622; C04B35/63 【发明人】郑志东; 王先进; 尹慧 【主权项内容】一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚；b)将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于所述步骤a)得到的坩埚生胚的内壁和外壁，干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚；c)将所述步骤b)得到的坩埚生胚进行气压烧结，得到坩埚熟坯；d)将所述步骤c)得到的坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除，得到氮化硅坩埚。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园区 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330421753019961P 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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