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过压保护电路专利

时间:2026-10-05    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端和电压输出端之间串接第一电阻以及与第一电阻并联一调压电路;所述调压电路包括:第二电阻串接于第一双极型晶体管的源极和基极之间,电压输入端连接至第一双极型晶体管的基极、第二双极型晶体管的集电极和雪崩二极管或齐纳二极管的正极端;电压输出端连接至第一双极型晶体管的源极和二极管的正极端;第二双极型晶体管的源极接地,基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管的负极端和第一双极型晶体管的集电极;二极管的负极端接地;第三双极型晶体管的源极连接至电压输如端,基极连接至电压输出端,集电极接地。有益效果是:电路结构简单,所需器件和节点较少,减小成本和功耗,减少坏点风险。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210344424.0 【申请日】2012-09-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103683249A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H02H9/04 【发明人】周晓东; 桑园; 余力 【主权项内容】一种过压保护电路,包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第二电阻(R2)、第一双极型晶体管(NPN1)、第二双极型晶体管(PNP)、第三双极型晶体管(NPN2)、雪崩二极管或齐纳二极管(D1)和二极管(D2);所述第二电阻(R2)串接于第一双极型晶体管(NPN1)的源极和基极之间;所述电压输入端(VIN)连接至第一双极型晶体管(NPN1)的基极、第二双极型晶体管(PNP)的集电极、第三双极型晶体管(NPN2)的源极和雪崩二极管或齐纳二极管(D1)的正极端;所述电压输出端(VOUT)连接至第一双极型晶体管(NPN1)的源极、二极管(D2)的正极端和第三双极型晶体管(NPN2)的基极;所述第二双极型晶体管(PNP)的源极接地,基极连接至雪崩二极管或齐纳二极管(D1)的负极端和第一双极型晶体管(NPN1)的集电极;所述第三双极型晶体管(NPN2)的集电极和二极管(D2)的负极端接地。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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