【摘要】 本发明公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1)，其特征在于，还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)。本发明的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210355938.6 【申请日】2012-09-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103683251A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H02H9/04 【发明人】周晓东; 桑园; 余力 【主权项内容】一种过压保护电路，包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)，在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1)，其特征在于，还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路，所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)；所述第二电阻(R2)串接于第一NPN双极型晶体管(N1)的源极和基极之间；所述第三电阻(R3)串接于第一PNP双极型晶体管(P1)的源极和基极之间；所述电压输入端(VIN)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的基极、第二PNP双极型晶体管(P2)的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的正极端、第二PNP双极型晶体管(P2)的基极和第二NPN双极型晶体管(N2)的集电极；所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的负极端连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的集电极和第二PNP双极型晶体管(P2)的基极；所述电压输出端(VOUT)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的源电极和第一PNP双极型晶体管(P1)的源极；第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)的正极端连接至第二PNN双极型晶体管(P2)的基极和第一PNP双极型晶体管(P1)的集电极，负极端连接至第一PNP双极型晶体管(P1)的基极和第二NPN双极型晶体管(N2)的集电极；所述第二NPN双极型晶体管(N2)的源极和第二PNP双极型晶体管(P2)的源极均接地。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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