【摘要】一种导弹模拟发射电气分离方法,其特征在于,包括如下步骤:FPGA逻辑控制板接收模拟发射信号;FPGA逻辑控制板进行逻辑判断;FPGA逻辑控制板控制信号输出,控制继电器的通断,完成导弹模拟发射电气分离。本发明的优点:可以保证该系统的可
【摘要】 本发明公开了一种以SiC作为增强相的MgO-SiO2–Al2O3–B2O3–KF玻璃陶瓷复合材料,它由SiO2、Al2O3、MgO、B2O3、KF和SiC制成,所述SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的质量比为20-50:12-35:10-30:5-9:9-18,SiC的质量占SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的总质量的5-30%。该复合材料的制备过程为先使MgO、SiO2、Al2O3、B2O3和KF混合粉料水淬,研磨后加入一定量颗粒SiC进一步混合均匀,成型后完成析晶,从而获得该玻璃陶瓷复合材料。该方法可获得抗弯强度可达200-400MPa的玻璃陶瓷复合材料。成本低,适用于工业规模。 【专利类型】发明授权 【申请人】中原工学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】451191 河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】新郑市 【申请号】CN201210102608.6 【申请日】2012-04-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102643024B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102643024B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C03C10/00; C03B32/02 【发明人】张小立; 汤锋; 刘芳; 范积伟; 穆云超; 赵慧君; 张振国 【主权项内容】一种以SiC作为增强相的MgO-SiO2–Al2O3–B2O3–KF玻璃陶瓷复合材料,其特征在于:它由SiO2、Al2O3、MgO、B2O3、KF和SiC制成,所述SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的质量比为20-50:12-35:10-30:5-9:9-18,SiC的质量占SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF的总质量的5-30%,它的制备步骤如下:(1)将SiO2、Al2O3、MgO、B2O3和KF粉末混合均匀后,在电阻炉中于1400-1600℃加热熔化并水淬,得到玻璃料;(2)将玻璃料研磨,过300-400目筛,后加入SiC粉末并混合均匀,得到混合料;(3)将混合料压制成型,然后在800-1200℃的条件下烧结,并在800-1200℃的条件下保温2-3小时析晶。 【当前权利人】中原工学院 【当前专利权人地址】河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12410000415803956B 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
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