【摘要】 本发明涉及一种两相功率MOS管H桥高速驱动电路，三极管VT1的基极与输入信号PWM1相连，三极管VT2的基极与输入信号PWM2相连；三极管VT1集电极连接第二电阻R2，R2通过第一电阻R1与正电源+VCC连接，结型场效应管Q1的栅极与R1、R2公共端连接，结型场效应管Q1漏极和正电源+VCC连接，结型场效应管Q1源极和稳压二极管Z1的正极连接，同时结型场效应管Q1源极通过电阻R3接地，稳压二极管Z1正极与电阻RG1相连，RG1的另一端输出MOS管VJ1的栅极驱动信号。该电路具有以下优点：1)有死区保护；2)开关速度快：满足目前高频PWM信号调制的需要；3)本发明驱动电路消耗功率低。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国空空导弹研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】471009 河南省洛阳市解放路166号 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】西工区 【申请号】CN201218000975.6 【申请日】2012-05-03 【申请年份】2012 【公开公告号】CN106342399B 【公开公告日】2014-10-22 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN106342399B 【授权公告日】2014-10-22 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K17/687 【发明人】郭栋; 秦文甫 【主权项内容】1.一种大功率MOS管H桥高速驱动电路，包括电阻、三极管、结型场效应管，其特征在于： 第一三极管VT1的基极与输入信号PWM1相连，第二三极管VT2的基极与输入信号PWM2相连； 第一三极管VT1集电极连接第二电阻R2，第二电阻R2通过第一电阻R1与正电源+VCC连接，第一结型场效应管Q1的栅极与第一电阻R1、第二电阻R2公共端连接，第一结型场效应管Q1漏极和正电源+VCC连接，第一结型场效应管Q1源极和第一稳压二极管Z1的正极连接，同时第一结型场效应管Q1源极通过第九电阻R9接地，第一稳压二极管Z1正极与第二十一电阻RG1相连，第二十一电阻RG1的另一端输出第一MOS管VJ1的栅极驱动信号； 第二三极管VT2集电极连接第三电阻R3，第三电阻R3通过第四电阻R4与负电源VEE连接，第二结型场效应管Q2的栅极与第三电阻R3、第四电阻R4公共端连接，第二结型场效应管Q2漏极和负电源VEE连接，第二结型场效应管Q2源极和第二稳压二极管Z2的负极连接，同时第二结型场效应管Q2源极通过第十电阻R10接地，第二稳压二极管Z2负极与第二十二电阻RG2相连，RG2的另一端输出第二MOS管VJ2的栅极驱动信号； 第三三极管VT3集电极连接第六电阻R6，第六电阻R6通过第五电阻R5与正电源+VCC连接，第三结型场效应管Q3的栅极与第五电阻R5、第六电阻R6公共端连接，第三结型场效应管Q3漏极和正电源+VCC连接，第三结型场效应管Q3源极和第三稳压二极管Z3的正极连接，同时结型场效应管Q3源极通过第十一电阻R11接地，第三稳压二极管Z3正极与第二十三电阻RG3相连，第二十三电阻RG3的另一端输出第三MOS管VJ3的栅极驱动信号； 第四三极管VT4集电极连接第七电阻R7，第七电阻R7通过第八电阻R8与负电源VEE相连，第四结型场效应管Q4的栅极与第七电阻R7、第八电阻R8公共端连接，第四结型场效应管Q4漏极和负电源VEE连接，第四结型场效应管Q4源极和第四稳压二极管Z4的负极连接，同时第四结型场效应管Q4源极通过第十二电阻R12接地，第四稳压二极管Z4负极与第二十四电阻RG4相连，第二十四RG4的另一端第四输出MOS管VJ4的栅极驱动信号。。-官网 【当前权利人】中国空空导弹研究院 【当前专利权人地址】河南省洛阳市解放路166号 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

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