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一种紫外红外双色探测器及其制造方法专利

时间:2026-10-05    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 本发明属于半导体光电探测器制造技术,特别涉及一种CdS/InSb双色探测器的结构及其制造方法。所述紫外/红外双色探测器包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3],其中,所述钝化层[4]覆盖于InSb探测器[5]之上,露出InSb电极[1],CdS光敏薄膜[2]沉积于钝化层[4]之上,CdS电极层[3]沉积于CdS光敏薄膜[2]之上,所述CdS光敏薄膜[2]的光敏面与InSb探测器[5]光敏面在垂直方向上相重叠。本发明探测器生产设备和工艺简单,成品率高,成本低,可靠性高,具有较大的实际应用价值和经济效益。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国空空导弹研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】471009 河南省洛阳市解放南路166号 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】西工区 【申请号】CN201210010026.5 【申请日】2012-01-05 【申请年份】2012 【公开公告号】CN106342342B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN106342342B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/00; H01L31/18 【发明人】姚官生; 吕衍秋; 张向锋; 张小雷; 张亮; 曹先存; 张磊; 沈祥伟; 丁嘉欣; 王锦春; 鲁正雄 【主权项内容】1.一种紫外/红外双色探测器,其特征在于:包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3],其中,所述钝化层[4]覆盖于InSb探测器[5]之上,露出InSb电极[1],CdS光敏薄膜[2]沉积于钝化层[4]之上,CdS电极层[3]沉积于CdS光敏薄膜[2]之上,所述CdS光敏薄膜[2]的光敏面与InSb探测器[5]光敏面在垂直方向上相重叠。 【当前权利人】中国空空导弹研究院 【当前专利权人地址】河南省洛阳市解放南路166号 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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