【摘要】 本发明涉及非易失存储器技术领域，尤其涉及一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路。本发明由一对交叉耦合的CMOS反相器，一个栅极接使能信号的PMOS管和一个栅极接使能信号的NMOS管组成；位线预放电信号控制的两个NMOS管可以使得静态时位线电压为零，减小对内部信号的干扰。本发明在读取数据时的抗干扰性和可靠性高，电路结构简单、占用面积小、速度快、功耗低、输入输出合一。 【专利类型】发明授权 【申请人】河南科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】471003 河南省洛阳市涧西区西苑路48号 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】涧西区 【申请号】CN201210071214.9 【申请日】2012-03-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102592651B 【公开公告日】2014-03-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102592651B 【授权公告日】2014-03-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G11C7/06 【发明人】牛丹梅; 张志勇; 黄涛; 张丽丽; 王剑; 贾涛; 宋晓莉; 田伟莉 【主权项内容】1.一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于包括： 两个PMOS管M1、M2，两NMOS管M3、M4，PMOS管M1的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M2的栅极与NMOS管M4的栅极相连接，PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接到NMOS管M4的漏极，PMOS管M1的漏极和NMOS管M3的漏极共同连接到位线BL，PMOS管M2的漏极和NMOS管M4的漏极共同连接到反位线BLn； PMOS管M1与PMOS管M2的源极相连接后连接到PMOS管M5的漏极，PMOS管M5的源极连接电源Vdd，PMOS管M5的栅极连接使能信号端，NMOS管M3与NMOS管M4的源极共同连接到NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的源极接地，NMOS管M6的栅极连接栅极使能信号端； NMOS管M7、M8的栅极共同连接到位线预放电信号端，NMOS管M7、M8的源极共同连接然后接地，NMOS管M7的漏极连接到位线BL，NMOS管M8的漏极连接到反位线BLn； 位线BL上连接负载电容Cb，反位线BLn连接负载电容Cbn，负载电容Cb、Cbn的另一端接地； 当反相器中的2个PMOS管M1，M2的尺寸偏差为±5%时，即M1管子尺寸增大5%，M2管子尺寸减小5%，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V1=56 mV； 当反相器中的2个NMOS管M3, M4的尺寸偏差为±5%时，即M3管子尺寸增大5%，M4管子尺寸减小5%，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V2=75 mV； 当反相器中的2个PMOS管M1，M2的阈值偏差为±0.05 V时，即M1的阈值增加0.05 V，M4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V4=56 mV； 当反相器中的2个NMOS管M3，M4的阈值偏差为±0.05 V时，即M3的阈值增加0.05 V，M4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器能正确放大的最小电压差为⊿V4=69 mV。。 【当前权利人】河南科技大学 【当前专利权人地址】河南省洛阳市涧西区西苑路48号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124100004165265089 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8

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