【摘要】 。本发明公开了一种多晶片制PN结多重扩散的制造方法，包括：步骤S1恒定源扩散在需要形成P层的表层沉积一定浓度的杂质源；步骤S2升温限定源扩散将沉积的杂质源相多晶片内部扩散，以控制PN结的结深和杂质源浓度梯度分布；步骤S3恒定源扩散在多晶片的P层表层再次沉积一定浓度的杂质源；步骤S4加氧恒定源扩散在温度不变并且继续通源的状态下，增加氧气的通流量，该步骤的目的在于增加多晶片的P层的表面颜色，使得多晶片在后续操作时正反面的区分，并且氧气流通量的增加还能够提高P层的亲水性，从而减小刻蚀边过大；步骤S5重复步骤S2至步骤S4。通过上述步骤能够实现解决多晶片制PN结后所存在的正反面颜色不易区分问题的目的。 【专利类型】发明授权 【申请人】英利能源(中国)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210056534.7 【申请日】2012-03-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102544238B 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102544238B 【授权公告日】2014-05-07 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; C30B31/06; C30B31/16; C30B31/18 【发明人】范志东; 王静; 张东升; 赵学玲; 吝占胜 【主权项内容】一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散，且扩散操作时间为4min至6min；4)在830℃至870℃的温度下对第二次进行恒定源扩散的多晶硅硅片进行增加氧气流量的恒定源扩散，扩散操作持续时间为5min至10min，氧气流量为1500sccm至2500sccm；5)重复步骤2)至步骤4)，直至获得符合颜色区分要求的多晶硅硅片。 【当前权利人】英利能源(中国)有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市朝阳北大街3399号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600667708103C 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】9

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