【摘要】 本发明公开一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其制备方法，多层相变薄膜顶层是厚度为8-12nm的类金刚石膜保护层、底层是厚度为10-15nm、铜和钨重量比为15 : 85的铜钨合金薄膜电极层、中间是厚度为25-45nm的碲基合金薄膜相变层；采用直流-射频磁控溅射一体化设备制备电极层和相变层，旋转转盘使基片位于靶材正上方，对真空室抽真空并通入氩气，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻加热后原位退火；将溅射有电极层和相变层的基片取出放入等离子体增强化学气相沉积室中，通入甲烷和硼烷进行气相沉积，类金刚石膜生长完成后取出，放入到180℃退火炉中退火；能有效避免导电层氧化，提高多层纳米薄膜表面质量、存储密度、存储寿命及功耗，且提高制备效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 【申请人地区】中国 【申请人城市】镇江市 【申请人区县】京口区 【申请号】CN201210063074.0 【申请日】2012-03-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102627004B 【公开公告日】2014-07-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102627004B 【授权公告日】2014-07-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B32B9/04; B32B15/00; C23C28/00; C23C14/35; C23C14/16; C23C14/18; C23C14/14; C23C16/26; C23C16/505 【发明人】付永忠; 王权 【主权项内容】一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜的制备方法，该用于超高密度探针存储的多层纳米薄膜的顶层是保护层(5)、底层是电极层(3)、中间层是相变层(2)；电极层(3)是厚度为10-15nm、铜和钨重量比为15 : 85的铜钨合金薄膜，相变层(2)是厚度为25-45nm的碲基合金薄膜，保护层(5)是厚度为8-12nm的类金刚石膜，其特征是包括如下步骤：1)采用直流-射频磁控溅射一体化设备制备电极层(3)和相变层(2)，该设备具有一个密封的真空室(15)，在真空室(15)内安装加热电阻(14)，真空室(15)内的下部是基座(10)，基座(10)上表面上是电极层靶材(9)和相变层靶材(13)，基座(10)正上方是转盘(8)，将基片(4)安装在转盘(8)上，转盘(8)上部通过上溅镀枪(7)与DC电源(6)相连，基座(10)下部通过下溅镀枪(11)与RF电源(12)相连；2)旋转转盘(8)使基片(4)位于电极层靶材(9)正上方，电极层靶材(9)采用纯度为99.95%的钨靶，钨靶上按重量比放置纯度为99.99%的铜片；对真空室(15)抽真空并通入氩气，启动DC电源(6)和RF电源(12)开始溅射，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻(14)加热，在350℃温度下原位退火，自然冷却到室温得到溅射有电极层(3)的基片(4)；3)将溅射有电极层(3)的基片(4)旋转到碲基合金相变层靶材(13)正上方，对真空室(15)抽真空并通入氩气，启动DC电源(6)和RF电源(12)开始溅射，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻(14)加热，在280℃温度下原位退火，自然冷却到室温得到溅射有电极层(3)和相变层(2)的基片(4)；4)将溅射有电极层(3)和相变层(2)的基片(4)从直流-射频磁控溅射一体化设备中取出放入等离子体增强化学气相沉积室中，抽真空并通入氩气，通入流量分别为60sccm和20sccm的甲烷和硼烷，打开射频电源进行气相沉积制备类金刚石膜，类金刚石膜生长完成后取出，放入到180℃退火炉中退火即可。 【当前权利人】江苏大学 【当前专利权人地址】江苏省镇江市京口区学府路301号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】123200004660115453 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2

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