【摘要】 本发明提供一种制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法。所述方法包括以下步骤：S1，在坩埚底部均匀铺设碎硅料，在碎硅料上放置一具有规则形状的多晶硅块后装入硅原料；S2，将坩埚置于定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，调节控温热电偶的温度和隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的碎硅料上迅速成核，形成均匀的小晶粒，小晶粒在竖直向上的温度梯度下自下向上竖直生长；S4，待熔硅结晶完后经退火和冷却形成晶粒小且均匀的多晶硅锭。 -官网 【专利类型】发明申请 【申请人】阿特斯(中国)投资有限公司; 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210538320.3 【申请日】2012-12-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103866381A 【公开公告日】2014-06-18 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】C30B28/06; C30B29/06 【发明人】李飞龙; 许涛; 翟传鑫; 蒋俊峰 【主权项内容】一种制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1，在坩埚底部均匀铺设一定量的碎硅料，并在均匀铺设的碎硅料上放置一具有规则形状的多晶硅块，再装入铸锭用硅原料；S2，将上述装有硅料的坩埚置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开定向凝固铸锭炉侧部隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，再调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的碎硅料上迅速成核，形成均匀的小晶粒，小晶粒在竖直向上的温度梯度下自下向上竖直生长；S4，待熔硅结晶完后经退火和冷却形成晶粒小且均匀的多晶硅锭。 【当前权利人】阿特斯(中国)投资有限公司; 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 河南省洛阳市洛龙科技园赢洲路2号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资); 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320505691330112T; 914103007834443602 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4

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