【摘要】 本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片上开孔；(5)在硅片的非孔金属电极区域上生长保护膜；(6)采用电镀的方法在孔内生成孔金属电极；(7)去除保护膜，丝网印刷受光金属电极和背光金属电极，印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明开发了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，采用电镀的方法生长孔金属电极，解决了背接触电池的灌孔不良的现象，大大降低了不良成品率；同时也降低了生产成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210108282.8 【申请日】2012-04-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102629641B 【公开公告日】2014-08-06 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102629641B 【授权公告日】2014-08-06 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】张凤; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片的受光面进行制绒；(2) 在硅片的受光面扩散制结；(3) 去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4) 在硅片上开孔；(5) 在硅片的非孔金属电极区域上生长保护膜；(6) 采用电镀的方法在孔内生成孔金属电极；(7) 去除保护膜，丝网印刷受光金属电极和背光金属电极，印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

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