【摘要】 本发明涉及一种具有浮置环结构的双极型三极管，自下而上包括衬底、缓冲区、集电区、基区以及发射区，在所述基区和集电区的边界处分别成形有欧姆接触区，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，在所述集电区的欧姆接触区周围成形有多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区。上述方案有效避免了现有技术中LBJT在集电极欧姆接触区的边缘产生过高的电场强度，抑制阻断电压提高的技术问题，是一种可以承担更高的阻断电压的具有浮置环的双极型晶体管。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州英能电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215163 江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210330637.8 【申请日】2012-09-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681816A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/45 【发明人】崔京京; 张作钦 【主权项内容】一种具有浮置环结构的双极型三极管，自下而上包括衬底、缓冲区、集电区、基区以及发射区，在所述基区和集电区的边界处分别成形有欧姆接触区，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于：在所述集电区的欧姆接触区周围成形有多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区。 【当前权利人】苏州英能电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320505582252768Q 【引证次数】7.0 【被引证次数】1 【他引次数】7.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】1

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