【摘要】 本发明公开了一种硅片的铝掺杂方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片进行清洗；(2)在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；(3)使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成铝掺杂。本发明使用直接沉积的氧化铝膜作为铝掺杂的，实验证明，可以获得具有高表面浓度铝掺杂的发射极；同时，相比于使用纯金属铝层，本发明的氧化铝膜在后续的流程中可以被稀盐酸方便的去除，不会给硅片带来污染。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210200799.X 【申请日】2012-06-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102723265B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102723265B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/20; H01L21/268 【发明人】孟夏杰; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种硅片的铝掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片进行清洗；(2) 在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；(3) 使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成铝掺杂。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

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