【摘要】 本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3)在硅片的背面进行扩磷；(4)开孔；(5)刻蚀周边结、清洗；(6)在硅片的正面和孔内进行扩硼；(7)刻蚀；(8)设置钝化减反射膜；(9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题，在太阳能电池背面与导电孔，以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210166624.1 【申请日】2012-05-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102683495B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102683495B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】王登志; 殷涵玉; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2) 在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(4) 在硅片上开孔；(5) 刻蚀周边结、去除硅片背面的阻挡层、清洗；(6) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(7) 刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃；(8) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池；在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层之前，先在该通孔方块区域设置硼浆，烘干之后，再采用丝网印刷或喷墨的方法设置二氧化硅乳胶，烘干，形成所述阻挡层；所述阻挡层包覆所述硼浆。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6

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