【摘要】 一种热源热处理电容器钽粉的方法，所述方法包括：将待处理的钽粉置入真空改性炉中，采用电弧Arc或(和)射频等离子Plasma作为热源对钽粉进行热处理，然后经过快速降温后得到改性钽粉。本发明能采用两种热源中的一种或两种进行热处理改性，钽粉的杂质含量低、粒形得到较大改善，并且钽粉的比容损失小，流动性佳，用其可以制备漏电流小、耐压值高的电容器。 【专利类型】发明授权 【申请人】泰克科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215000 江苏省苏州市相城区澄阳路20号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】相城区 【申请号】CN201210371391.9 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102847934B 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102847934B 【授权公告日】2014-04-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B22F1/00; C22F1/18; B22F1/142 【发明人】林耀民 【主权项内容】一种热源热处理电容器钽粉的方法，其特征在于，所述方法包括：将待处理的钽粉置入真空改性炉中，其中所述待处理的钽粉先通入氮气进行渗氮处理，渗氮后的钽粉的氮气含量在100～1000PPM，然后采用电弧Arc或射频等离子Plasma作为热源对钽粉进行热处理，产生等离子体的气源为氩气、氢气、氦气、氖气中的一种或两种以上的气体按比例的混和气，其混和比例以氩气为基准源，比例范围是20：1～1000：1，其中在进行热处理前，所述真空改性炉的真空度为1.13×10-1Pa～1.13×10-5Pa，热处理时真空度为-0.02～-0.08MPa，所述钽粉以连续进料的方式进行热处理，钽粉连续进料的流量为5g/min～30g/min，钽粉经过热处理的时间为0.001秒～1秒，所述钽粉进行热处理后流入装有冷却装置的收粉室进行冷却，使钽粉在0.01秒～5秒时间内，表面温度由大于2000℃降至800℃以下，最终得到改性钽粉。。： 【当前权利人】泰克科技(苏州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市相城区澄阳路20号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与外国投资者合资) 【统一社会信用代码】913205007394012595 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】10

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