【摘要】 本发明公开了一种背接触硅太阳能电池，包括经过表面织构化的N型单晶硅片，正面设有第一N型重掺杂层，外面依次设有第一SiO2钝化层和减反射膜层；背面设有相互间隔设置的第二N型重掺杂层和P型重掺杂层，外设有第二二氧化硅钝化层，第二N型重掺杂层处的第二SiO2钝化层外依次设有重掺杂AZO薄膜层和银浆；所述P型重掺杂层处的第二SiO2钝化层外依次设有重掺杂CuAlO2薄膜层覆和银铝浆。本发明还公开了一种背接触硅太阳能电池的制作工艺。本发明解决了现有技术中太阳能电池转换效率低下，而背接触电池由于普遍采用激光打孔制作成本高昂的问题，经过工艺改进做到接触面重掺杂，附着重掺低阻TCO材料形成隧道电流，并且选择采用低温浆料烧结法，在保证电池效率的前提下降低了制作成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】星尚光伏科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市高新区金枫路555号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210085796.6 【申请日】2012-03-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102610686B 【公开公告日】2014-08-20 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102610686B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/068; H01L31/0224; H01L31/0352; H01L31/0216; H01L31/18 【发明人】殷晏庭; 王艳 【主权项内容】一种背接触晶体硅太阳能电池，包括N型单晶硅片(1)，所述N型单晶硅片(1)的正面设有第一N型重掺杂层(2)；背面设有相互间隔设置的第二N型重掺杂层(6)和P型重掺杂层(5)，所述第一N型重掺杂层(2)外依次设有第一SiO2钝化层(3)和减反射膜层(4)，所述第二N型重掺杂层(6)和P型重掺杂层(5)外设有第二SiO2钝化层(7)，其特征在于：所述第二N型重掺杂层(6)处的第二SiO2钝化层(7)外依次设有重掺杂AZO薄膜层(8)和银浆(10)；所述P型重掺杂层(5)处的第二SiO2钝化层(7)外依次设有重掺杂CuAlO2薄膜层(9)和银铝浆(11)。 【当前权利人】星尚光伏科技(苏州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区金枫路555号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320505560301418N 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】21

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