【摘要】 提供一种低压输出带隙基准电路。所述低压输出带隙基准电路包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其中，所述负反馈环路包括：第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器。所述低压输出带隙基准电路能够提供与温度无关的低压输出。 【专利类型】发明申请 【申请人】三星半导体(中国)研究开发有限公司; 三星电子株式会社 【申请人类型】企业 【申请人地址】215021 江苏省苏州市工业园区国际科技园科技广场7楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】姑苏区 【申请号】CN201210309074.4 【申请日】2012-08-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103631297A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103631297B 【授权公告日】2015-11-11 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】G05F1/56 【发明人】王超 【主权项内容】一种低压输出带隙基准电路，包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其特征在于，所述负反馈环路包括：第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器，其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到包括在带隙基准电压产生电路中的第一运算放大器的输出端，源极连接到电源VDD，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第五电阻器的第一端连接到低压输出带隙基准电路的输出端，第二端连接到第二运算放大器的正向输入端和第三双极性晶体管的发射极；第三双极性晶体管的基极和集电极接地；第四NMOS晶体管的栅极连接到第二运算放大器的输出端，源极连接到第四电阻器的第一端，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第四电阻器R4的第二端接地；第二运算放大器的反向输入端连接到第四电阻器的第一端。 【当前权利人】三星半导体(中国)研究开发有限公司; 三星电子株式会社 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区国际科技园科技广场7楼; 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320594748182393T 【引证次数】4.0 【被引证次数】18 【他引次数】4.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】18

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790800034.html