【摘要】 本发明提供一种闪速存储器的坏块管理方法。所述方法包括下述步骤：将闪速存储器的存储空间划分为包括多个块的第一区域和包括多个块的第二区域；对闪速存储器进行坏块检测，以得到关于坏块的信息；根据得到的关于坏块的信息，建立第一区域中的坏块与第二区域中的正常块之间的映射关系，并生成包括关于建立的映射关系的信息的块映射快速访问表；将生成的块映射快速访问表分别存储在第二区域中的多个坏块管理信息块中，其中，所述多个坏块管理信息块是第二区域中的不具有与第一区域中的坏块的映射关系的任意的正常块。 【专利类型】发明授权 【申请人】三星半导体(中国)研究开发有限公司; 三星电子株式会社 【申请人类型】企业 【申请人地址】215021 江苏省苏州市工业园区国际科技园科技广场7楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】姑苏区 【申请号】CN201210157878.7 【申请日】2012-05-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102722443B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102722443B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G06F12/02 【发明人】唐红飞 【主权项内容】： 一种闪速存储器的坏块管理方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：将闪速存储器的存储空间划分为包括多个块的第一区域和包括多个块的第二区域；对闪速存储器进行坏块检测，以得到关于坏块的信息；根据得到的关于坏块的信息，建立第一区域中的坏块与第二区域中的正常块之间的映射关系，并生成包括关于建立的映射关系的信息的块映射快速访问表；将生成的块映射快速访问表分别存储在第二区域中的多个坏块管理信息块中，其中，所述多个坏块管理信息块是第二区域中的不具有与第一区域中的坏块的映射关系的任意的正常块；从所述多个坏块管理信息块中的一个坏块管理信息块中读取块映射快速访问表；当接收到对闪速存储器的第一区域中的访问目标块的访问请求时，从读取的块映射快速访问表中检索关于访问目标块的映射关系的信息，并根据检索的结果来对闪速存储器进行访问。 【当前权利人】三星半导体(中国)研究开发有限公司; 三星电子株式会社 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区国际科技园科技广场7楼; 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320594748182393T 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】21

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