【摘要】 本发明涉及一类如式(I)所示的化合物，其中：R1、R2独立地选自C4~C30的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、C4~C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4~C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3-R10独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基或C6-C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并噻吩衍生物；m、n选自0-3的整数，但m加n大于0且小于等于3。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的空穴传输材料或空穴注入材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山维信诺显示技术有限公司; 清华大学; 北京维信诺科技有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210375135.7 【申请日】2012-09-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103709153A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103709153B 【授权公告日】2019-01-29 【授权公告年份】2019.0 【IPC分类号】C07D409/14; C07D333/58; C07D333/74; C07D333/76; C07D333/62; C07D333/66; H01L51/54 【发明人】邱勇; 范洪涛; 王星; 段炼; 任雪艳 【主权项内容】一种苯并噻吩类衍生物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构：其中：R1、R2独立地选自C4~C40的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、C4~C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4~C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3-R10独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基或C6-C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并噻吩衍生物；m、n选自0-3的整数，但m加n大于0且小于等于3。FDA00002217823500011.jpg 【当前权利人】昆山维信诺显示技术有限公司; 清华大学; 北京维信诺科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号; 北京市海淀区清华园; 北京市海淀区上地信息路11号彩虹大厦一层 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 公立; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91320583785986462K; 12100000400000624D; 91110108801169316Y 【引证次数】11.0 【被引证次数】10 【自引次数】4.0 【他引次数】7.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】21

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