【摘要】 本发明公开了一种涉及薄膜晶体管领域的氧化锌锡薄膜的制备方法，首先采用2-乙基己酸亚锡作为锡的前驱体材料制备前驱体溶液，然后，将前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜；最后进行热处理，热处理程序采用20至80℃/min的升温速率得到氧化锌锡薄膜。本发明还提供该制备方法制备的氧化锌锡薄膜、采用该氧化锌锡薄膜作为半导体层的薄膜晶体管以及该薄膜晶体管的制备方法。本发明解决了现有技术中采用2-乙基己酸亚锡作为锡的前驱体材料制备的氧化锌锡薄膜形成的薄膜晶体管的载流子迁移率较低的问题。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山维信诺显示技术有限公司; 清华大学; 北京维信诺科技有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210207834.0 【申请日】2012-06-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103510086A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103510086B 【授权公告日】2015-10-21 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】C23C26/00; H01L29/786; H01L21/34 【发明人】邱勇; 赵云龙; 段炼 【主权项内容】氧化锌锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备前驱体溶液将锌的前驱体材料、锡的前驱体材料2-乙基己酸亚锡C16H30O4Sn、助溶剂溶解于溶剂中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；(2)制备薄膜将步骤(1)制备的前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜；(3)热处理将步骤(2)形成的所述薄膜经热处理程序得到氧化物半导体薄膜，所述的热处理程序采用20至80℃/min的升温速率从起始温度上升到预设温度，并恒温处理，得到氧化锌锡薄膜。 【当前权利人】昆山维信诺显示技术有限公司; 清华大学; 北京维信诺科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号; 北京市海淀区清华园; 北京市海淀区上地信息路11号彩虹大厦一层 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 公立; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91320583785986462K; 12100000400000624D; 91110108801169316Y 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3

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