【摘要】 本发明公开了一种功率二极管器件，它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、ALN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连。环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部，环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内，所述金属层覆盖任一个环形场板的凹部。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏能华微电子科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】张家港市 【申请号】CN201210265839.9 【申请日】2012-07-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102779858B 【公开公告日】2014-08-06 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102779858B 【授权公告日】2014-08-06 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/872; H01L29/06; H01L21/329 【发明人】朱廷刚 【主权项内容】一种功率二极管器件，其特征在于：它包括依次相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、ALN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述场限环呈环形结构，所述ALN层为与所述场限环相对应的环形结构，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连；所述环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部，环形场板的凸部的最高点自该功率二极管器件的内侧向外侧逐渐升高，环形场板的凹部的最低点自该功率二极管器件的内侧向外侧逐渐升高，最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内，所述金属层覆盖任一个环形场板的凹部；所述外延层为GaN。 【当前权利人】江苏能华微电子科技发展有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320582558046219R 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】10

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