【摘要】本发明提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步
【摘要】 本发明涉及一种左旋吡喹酮的制备方法，其利用生物酶的高度立体、位点、区域选择性对化学合成的外消旋体中的某一对映体进行拆分，得到反应与未反应的光学异构体混合物，进一步分离、合成得到目标产物。该制备方法原料易得、成本较低，产品纯度可达到> 98%，提升了质量标准，为创制优质原料药和制剂打下基础，由此解决了近30年来悬而未解的纯化吡喹酮工业难题。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州同力生物医药有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号D楼508室张家港经济开发区 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】张家港市 【申请号】CN201210415430.0 【申请日】2012-10-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102911996B 【公开公告日】2014-04-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102911996B 【授权公告日】2014-04-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C12P41/00; C12P17/12; C07D471/04 【发明人】钱明心 【主权项内容】1.一种制备左旋吡喹酮的中间体(5)的方法，其特征在于：所述方法以化合物(3)为原料，与化合物(4)在脂肪酶的存在下以及有机溶剂中，在温度0℃～75℃下进行反应，反应结束后，混合物经分离得到中间体(5)，其中，所述的脂肪酶选用Novozyme435、CAL-A及CAL-B中的一种，所述的有机溶剂为甲苯、叔丁基甲醚、乙醚、异丙醚、四氢呋喃、二氯甲烷、己烷及乙腈中的一种。 【当前权利人】苏州同力生物医药有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市张家港市国泰北路1号D楼508室张家港经济开发区 【专利权人类型】外商投资企业 【统一社会信用代码】913205820502973084 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】36
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