【摘要】本发明公开了一种网状外表面的降膜蒸发管，它包括带有中心管腔的管体、以及设在该管体内的空腔，所述管体的外表面设有与所述空腔相连通的多个小孔，在所述管体的外表面还设置有网格状的微槽道。本发明的降膜蒸发换热管在工作时，其上的液体分布非常均
【摘要】 本发明涉及一种导电互联的方法包括：S1、在基底上布置透明氧化物导电层，获得互不连通的两导电块；S2、在两导电块及基底上覆盖绝缘层；S3、在对应两导电块上方的绝缘层区域制作穿通剂图案；S4、加热处理穿通剂图案，实现两导电块的导电互联。本发明提供的导电互联的方法，避免了图案化绝缘层且能实现绝缘层上下的导电连接；绝缘层采用整个基底淀积，容易获得均匀的绝缘层；采用透明氧化物导电层使得可以采用光波加热来实现穿通，从而降低衬底温度和非穿通区域的温度；透明氧化物导电层可以方便的形成透明电子电路，工艺温度较低，也易于采用印刷方法制作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210546509.7 【申请日】2012-12-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103871957A 【公开公告日】2014-06-18 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103871957B 【授权公告日】2016-11-30 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】陈征; 林剑; 崔铮 【主权项内容】一种导电互联的方法，其特征在于，包括：S1、在基底上布置透明氧化物导电层，获得互不连通的两导电块；S2、在两导电块及基底上覆盖绝缘层；S3、在对应两导电块上方的绝缘层区域制作穿通剂图案；S4、加热处理穿通剂图案，实现两导电块的导电互联。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790635284.html
