【摘要】 本发明涉及纳米器件及纳米加工技术，尤其是一种射频单电子晶体管扫描探针的结构及其应用。这种射频单电子晶体管扫描探针，包括一端呈针形的凸出部的SOI衬底，还包括集成在所述SOI衬底上、相互匹配的射频共振电路及单电子晶体管；所述单电子晶体管集成在SOI针形凸出部。本发明还提供这种射频单电子晶体管扫描探针的制作方法以及利用这种射频单电子晶体管扫描探针制作电荷扫描成像与示波和原子力显貌成像系统。所述系统具备高灵敏度、高速和高空间分辨率，以及可以进行低温三维扫描形成电荷的分布形貌和几何形貌，也可以定点检测纳米器件或电路中任意一点处的电势及其动态变化。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210410722.5 【申请日】2012-10-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102928624B 【公开公告日】2014-10-08 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102928624B 【授权公告日】2014-10-08 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01Q60/38; G01Q60/30 【发明人】吕利; 秦华; 李欣幸; 孙建东; 张晓渝 【主权项内容】一种射频单电子晶体管扫描探针，包括一端呈针形的凸出部的SOI衬底，其特征在于，还包括集成在所述SOI衬底上、相互匹配的射频共振电路及单电子晶体管；所述单电子晶体管集成在SOI针形凸出部，所述射频共振电路集成在SOI衬底的根部主体部位；其中，所述单电子晶体管包括用于控制单电子晶体管工作点的栅极以及源极、漏极，所述单电子晶体管通过其漏极及射频信号线与射频共振电路连接。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】3.0 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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