【摘要】 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述细线条形成的掩膜部分。通过本发明技术方案的应用，能有效减小深硅刻蚀中由于沟槽宽度尺寸较大的差异导致侧壁形貌变化，将侧壁陡直度偏差控制在1μm之内。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210307648.4 【申请日】2012-08-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102800567B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102800567B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/02; B81C1/00; G03F7/00 【发明人】付思齐; 时文华; 王敏锐; 张宝顺 【主权项内容】一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述细线条形成的掩膜部分。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790625160.html