【摘要】 一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统，包括基座以及安装在基座上的双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体，形成于第一半导体表面的第二半导体，设于第二半导体表面的主栅，形成于第二半导体和主栅表面的介质层，设于介质层表面的顶栅；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路等，前述电路包括串联和/或并联设置在分别与源极和主、顶栅电连接的各基座接出端之间的分立电容和/或分立电阻。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，并可以将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于集成系统中。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210367567.3 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102857202B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102857202B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K17/56; H01L29/423; H01L29/778 【发明人】于国浩; 蔡勇; 张宝顺 【主权项内容】一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统，包括：基座(30)，以及，封装在基座(30)上的双栅四端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气(2DEG)形成电连接的源极(12)与漏极(11)，其中，所述异质结构包括：第一半导体(13)，其设置于源极(12)和漏极(11)之间，第二半导体(14)，其形成于第一半导体(13)表面，并具有宽于第一半导体(13)的带隙，且第二半导体(14)表面设有主栅(16)，所述主栅(16)位于源极(12)与漏极(11)之间靠近源极(12)一侧，并与第二半导体(14)形成金属-半导体接触，介质层(17)，其形成于第二半导体(14)和主栅(16)表面，并设置在源极(12)与漏极(11)之间，且介质层(17)表面设有顶栅(18)，所述顶栅(18)对主栅(16)形成全覆盖，且至少所述顶栅(18)的一侧边缘部向漏极(11)或源极(12)方向延伸设定长度距离；所述源极(12)、漏极(11)、主栅(16)和顶栅(18)分别与分布在基座(30)上的复数个基座接出端电连接；其特征在于，它还包括：用于使所述主栅(16)和顶栅(18)实现同步信号控制的分压补偿电路，所述分压补偿电路包括串联和/或并联设置在分别与源极(12)、主栅(16)和顶栅(18)电连接的各基座接出端之间的电容和/或电阻。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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