【摘要】 一种转接封装结构及其形成方法，其中，转接封装结构包括：基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于基板第一表面一侧的导电插塞，所述导电插塞包括：位于基板第一表面一侧的盲孔，填充满所述盲孔的导电材料；位于基板第二表面一侧的凹槽，所述凹槽完全暴露出导电插塞底部的导电材料；位于导电插塞表面的导电凸块；位于凹槽表面和第二表面且与导电插塞电连接的再分布线路；覆盖所述再分布线路的保护层；位于第二表面的保护层内、所述再分布线路表面的凸点，且所述凸点位置与后续连接的PCB板对应。本发明实施例的转接封装结构封装效果佳，本发明实施的转接封装结构形成方法工艺简单。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州晶方半导体科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215026 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210041019.1 【申请日】2012-02-22 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102543782B 【公开公告日】2014-06-04 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102543782B 【授权公告日】2014-06-04 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L23/498; H01L23/14 【发明人】王之奇; 王文斌; 俞国庆; 喻琼; 王蔚 【主权项内容】一种转接封装结构形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面对所述基板进行刻蚀，形成多个盲孔，所述盲孔深度小于基板厚度，所述盲孔位置与待封装芯片对应；在所述盲孔填充满导电材料，形成导电插塞；沿所述第二表面对所述基板进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽完全暴露出导电插塞底部的导电材料；在所述凹槽表面和第二表面形成对应电连接所述导电插塞的再分布线路。 【当前权利人】苏州晶方半导体科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号 【专利权人类型】股份有限公司(外商投资、上市) 【统一社会信用代码】913200007746765307 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

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