【摘要】 本发明公开了一种增强型器件及其制造方法。根据本发明的一个方面的增强型器件，通过将势垒层设计成三明治结构，三明治结构的中间层作为栅极区选择性刻蚀的停止层，并通过在栅极区域选择性生长p型氮化物，耗尽栅极下异质结处的二维电子气，从而实现增强型的氮化镓器件。同时本发明还提出了上述增强型器件的制造方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州晶湛半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215124 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210112988.1 【申请日】2012-04-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102683394B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102683394B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/423; H01L29/06; H01L29/778; H01L21/28; H01L21/335 【发明人】程凯 【主权项内容】微信 。一种增强型器件，该增强型器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构，以及在外延多层结构上形成的栅极区，其特征在于：所述外延多层结构从衬底方向依次包括成核层、缓冲层、异质结结构层、第二氮化镓层、氮化物过渡层和介质层，其中所述异质结结构层包括氮化镓沟道层和具有三明治结构的势垒层，所述三明治结构的中间层为第一氮化镓层；所述栅极区包括栅极金属层和位于该栅极金属层下方的p型氮化物层，其中所述p型氮化物层嵌置于所述外延多层结构中，该p型氮化物的底部触及所述三明治结构的第一氮化镓层，顶部不超过所述氮化物过渡层，制作该p型氮化物层时，以所述介质层为掩模层，通过选择性生长获得。 【当前权利人】苏州晶湛半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320594592520797R 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】36

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