【摘要】一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管(即TI-IGBT)包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，短路区与集电区的掺杂类型不同；第二半导体衬底，第二半导体衬底位于第一半导体衬底的上表面，且第二半导体衬底与短路

【摘要】本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准

【摘要】本发明公开了一种带有横杆的桌子，包括支撑座和第一搁置面，其中，所述支撑座包括通过纵横相交并连接固定的形成位于上端的支撑面以及位于支撑面下端的支撑脚；所述第一搁置面固定在所述支撑座上，其特征在于，所述带有支撑座的桌子还包括：第二搁置面

【摘要】本发明公开了一种手心手背不同色的丁腈胶手套的制备方法，1)配制手心侧及手背侧丁腈胶乳；2)模具经浸渍凝固剂、烘干处理；3)将模具的手背侧浸渍到手背侧丁腈胶乳中，保持9-11秒，浸渍的深度为模具的一半；4)将模具进行干燥，温度为106

【摘要】本发明公开了一种低焊接裂纹敏感性高强钢的生产方法，所述高强钢由C、Ni、Mn、Si、V、Ti、Cr和Fe组成；所述制备方法包括如下步骤：铁水脱硫、转炉冶炼、RH真空处理、连铸、板坯加热、热轧、层流冷却、卷取、酸洗、冷轧、退火、平整。

【摘要】安全测电笔旨在设计一种安全测电方法，根据本发明提供的技术方案，在手触电极与原限流电阻间串联一个附加电阻，在两电阻间引一电极至手触电极附近，当人手仅与手触电极轻触时，附加电阻于短路状态，即是传统的测电状态，当人手按下手触电极时，附加电