【摘要】 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210101012.4 【申请日】2012-04-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102646710B 【公开公告日】2014-08-27 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102646710B 【授权公告日】2014-08-27 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423 【发明人】孙伟锋; 祝靖; 吴逸凡; 钱钦松; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(1)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区(4)，在P型掺杂柱状半导体区(4)上设有第一P型掺杂半导体区(5)，且第一P型掺杂半导体区(5)位于N型掺杂外延层(3)内，在第一P型掺杂半导体区(5)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(7)和N型重掺杂半导体源区(6)，在N型掺杂硅外延层(3)的上方设有栅氧化层(8)且栅氧化层(8)位于相邻P型掺杂柱状半导体区(4)之间的N型掺杂硅外延层部分的上方，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在多晶硅栅(9)上设有氧化层(10)，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区(6)上连接有源极金属(11)，在第二P型重掺杂半导体接触区(7)上连接有衬底金属(12)，衬底金属和源极金属分开，在源极金属(11)与衬底金属(12)的下方设有作为电阻的多晶硅(13)，且多晶硅(13)分别与源极金属(11)与衬底金属(12)连接，在衬底金属(12)上连接有顶层金属(14)。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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