【摘要】 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210059502.2 【申请日】2012-03-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102608511B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102608511B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01R31/26; G01N25/20 【发明人】钱钦松; 刘斯扬; 张頔; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】1.一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，其特征在于， 步骤1 将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，依据待测器件安全工作区的范围，保证待测器件能够正常工作的前提下，给待测器件漏源两端施加直流电压， 步骤2 在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流， 步骤3 撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，所述方波脉冲电压的幅值等于步骤2所述的直流工作电压，占空比小于1%且周期不大于1毫秒，此后，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过待测器件结温，待测器件漏源两端的漏电流会随着温度控制箱内部温度的逐渐升高而不断下降，使用电流测量设备不断地测量待测器件漏源两端的漏电流， 当测得的待测器件漏源两端的漏电流与由步骤2测得的待测器件漏源两端的电流相等时，记录下此时的温度控制箱内部温度并以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，并进入步骤5； 如果温度控制箱内部温度升高至待测器件所允许的最高结温时，所测得的漏电流依然高于步骤2所测得的漏电流，则撤去栅极上的方波脉冲电压，降低待测器件漏源两端的直流电压，返回步骤2， 步骤4 计算待测器件的热阻值，根据公式， 其中，为步骤3中记录的等效结温，为所设定的室温25℃，为待测器件的功耗，为步骤2中待测器件漏源两端的电压值，为步骤2中所测得的待测器件漏源两端的电流值，为待测器件的结到环境温度的稳态封装热阻值，将测试所得数据带入上述公式，计算得到待测器件的稳态热阻值。。-官网 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】30

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