【摘要】 本发明涉及一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风及其制备方法，其包括背极板及振膜体；背极板与振膜体通过共晶键合连接；振膜体包括SOI硅基，SOI硅基包括振动薄膜，SOI硅基内刻蚀有深坑；背极板内设有贯通背极板的分离槽，形成相分离的第一极板区域及第二极板区域；第二极板区域内设有若干贯通第二极板区域的声孔，声孔与下方的深坑相对应分布；第二极板区域对应设置声孔且邻近振动薄膜的区域表面与振动薄膜间具有气隙；第一极板区域上设有第一金属焊盘；第二极板区域对应远离振动薄膜的表面设有第二金属焊盘，第二极板区域对应的背极板通过绝缘介质层与振动薄膜绝缘隔离。本发明结构简单紧凑，制备方便，提高电容式硅麦克风的良率与灵敏度。 【专利类型】发明授权 【申请人】缪建民 【申请人类型】个人 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区高浪路999号太湖科技中心16楼华景传感科技(无锡)有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210019076.X 【申请日】2012-01-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611975B 【公开公告日】2014-04-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611975B 【授权公告日】2014-04-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H04R19/04; H04R31/00 【发明人】缪建民 【主权项内容】一种采用共晶键合与SOI硅片的MEMS硅麦克风，包括背极板(1)及位于所述背极板(1)下方的振膜体(10)；所述背极板(1)与振膜体(10)通过共晶键合连接；所述振膜体(10)包括SOI硅基，所述SOI硅基包括振动薄膜(11)，所述SOI硅基内的中心区刻蚀有深坑(14)，所述深坑(14)从SOI硅基对应形成振动薄膜(11)另一侧的表面延伸到振动薄膜(11)；所述背极板(1)内设有贯通背极板(1)的分离槽(2)，背极板(1)通过分离槽(2)形成相分离的第一极板区域(15)及第二极板区域(16)；所述第二极板区域(16)内设有若干贯通第二极板区域(16)的声孔(7)，所述声孔(7)与下方的深坑(14)相对应分布；第二极板区域(16)对应设置声孔(7)且邻近振动薄膜(11)的区域表面与振动薄膜(11)间具有气隙(3)；所述第一极板区域(15)对应于远离振动薄膜(11)的表面设有第一金属焊盘(5)，所述第一金属焊盘(5)与第一极板区域(15)欧姆接触，并与振动薄膜(11)电连接；第二极板区域(16)对应远离振动薄膜(11)的表面设有第二金属焊盘(6)，所述第二金属焊盘(6)与第二极板区域(16)欧姆接触，且第二极板区域(16)对应的背极板(1)通过绝缘介质层(4)与振动薄膜(11)绝缘隔离；其特征是：所述振动薄膜(11)对应邻近背极板(1)的表面淀积有第二电连接金属(9)，所述第二电连接金属(9)与振动薄膜(11)欧姆接触；背极板(1)对应邻近振动薄膜(11)的表面淀积有第一电连接金属(8)，所述第一电连接金属(8)同时覆盖第一极板区域(15)、第二极板区域(16)对应的表面，第一电连接金属(8)与第一极板区域(15)欧姆接触，且第一电连接金属(8)通过绝缘介质层(4)与第二极板区域(16)绝缘隔离；背极板(1)通过第一电连接金属(8)及第二电连接金属(9)与振膜体(10)共晶键合连接。 【当前权利人】华景传感科技(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园F2 【引证次数】7.0 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】7

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790285656.html