【摘要】本发明涉及一种带观测孔的导湿透气窗帘布,其中所述窗帘布包括一基布,所述基布包括顶部及位于顶部下方的中部及底部,所述基布上开设有若干观测孔,所述观测孔为一种透明材料与基布镶接而成,所述观测孔至少为3个,分别位于基布的顶部、中部及底部,
【摘要】 本发明涉及一种太阳能电池扩散方法,其特征在于它包括以下工艺步骤:步骤一、第一次氧化;步骤二、扩散;步骤三、第二次氧化。且步骤二扩散分为第一次扩散、第二次扩散以及第三次扩散。本发明太阳能电池扩散方法,以P型硅片为扩散源衬底,扩散阶段经过三步分步扩散,小氮和氧气的通入流量从大到小,通入时间从长到短,将三步的磷源浓度由高到低驱入衬底,使得表面浓度逐渐减少,降低表面复合及缺陷浓度,并形成梯度掺杂,拓宽P-N结区的宽度,提高开路电压;同时较深的结深,可以降低串联电阻,提升太阳电池转换效率。该太阳能电池扩散方法具有无需增加工序,成本较低,能够增加晶体硅太阳电池的转换效率的优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏泓源光电科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214443 江苏省无锡市江阴市申港街道申庄路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210201536.0 【申请日】2012-06-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102723266B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102723266B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/223 【发明人】闫循磊; 杨贵忠 【主权项内容】1.一种太阳能电池扩散方法,其特征在于它包括以下工艺步骤:步骤一、第一次氧化将硅片放入扩散炉中,扩散炉升温到800~820℃,向扩散炉内通入氧气,氧气流量为10~12slm,通入氧气的时间为13~15min,对硅片表面进行第一次氧化反应;步骤二、扩散2.1、第一次扩散扩散炉升温到835~845℃,向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体,所述小氮的流量为1.0~1.2slm,所述大氮的流量为8 ~10 slm,所述氧气的流量为1.2~1.5slm,通入混合气体的时间为5~7min,在硅片表面进行第一次扩散反应;2.2、第二次扩散扩散炉升温到845~855℃,向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体,所述小氮的流量为0.8~1.0 slm,所述大氮的流量为8 ~10 slm,所述氧气的流量为1.0~1.2slm,通入混合气体的时间为4~6min,在硅片表面进行第二次扩散反应;2.3、第三次扩散扩散炉升温到855~865℃,向扩散炉内通入携三氯氧磷的小氮、大氮以及氧气组成的混合气体,所述小氮的流量为0.6~0.8 slm,所述大氮的流量为8 ~10 slm,所述氧气的流量为0.8~1.0slm,通入混合气体的时间为3~5min,在硅片表面进行第三次扩散反应;步骤三、第二次氧化扩散炉升温到860~880℃,向扩散炉内通入大氮以及氧气组成的混合气体,所述大氮的流量为8 ~12slm,所述氧气的流量为10~13slm,通入混合气体的时间为3~5min,在硅片表面进行第二次氧化反应。 【当前权利人】江苏国瓷泓源光电科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市徐霞客镇璜塘工业园区外环北路9号 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】91320200558038593Y 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】16
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1790251727.html






