【摘要】 一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温箱调至25℃，为二极管加一极短暂的单脉冲电流，测试不同脉冲电流大小对应的二极管压降。然后将温箱温度升至125℃，测量不同脉冲电流大小对应的二极管压降，并与25℃下所测数值进行比较，在保证压降有明显变化的前提下取一最大电流。将温箱温度降至25℃，为二极管加直流电流，大小为前面所选取的电流，待结温稳定后测量二极管压降。改变温箱温度，然后以脉冲电流测试此时二极管的压降，直至某一温度下二极管的压降与灌直流时二极管上压降相等，我们就认为此时温箱的温度即为等效结温。根据等效结温利用热阻计算公式求出二极管的热阻。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210234394.8 【申请日】2012-07-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102759544B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102759544B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N25/20 【发明人】刘斯扬; 张春伟; 卫能; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种大功率碳化硅二极管热阻测试方法，其特征在于，步骤1、将放置有待测二极管的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，依据待测二极管安全工作区的范围，保证待测器件能够正常工作的前提下，给待测二极管两端施加脉冲宽度为200μs的单电流脉冲，脉冲电流依次取值为0.5A、0.8A、1.0A、1.2A、1.4A、1.6A、1.8A、及2.0A，并分别记录下不同脉冲电流下二极管上的压降，步骤2、将温箱温度升至125℃，依据待测二极管安全工作区的范围，保证待测器件能够正常工作的前提下，给待测二极管两端施加脉冲宽度为200μs的单电流脉冲，脉冲电流依次取值为0.5A、0.8A、1.0A、1.2A、1.4A、1.6A、1.8A、及2.0A，并分别记录下不同脉冲电流下二极管上的压降，步骤3、根据前两步所得结果，分别作出同一脉冲电流的125℃时的压降与25℃时的压降的差值，剔除压降差值小于80mV所对应的脉冲电流，再在剩余的脉冲电流中寻找出最大的脉冲电流并将最大的脉冲电流作为测试电流Ids，步骤4、将温箱温度设为25℃，然后给二极管灌一大小与步骤3中选定的测试电流Ids大小相同的直流电流，待压降稳定后测出此时二极管上的压降Vds，步骤5、升高温箱温度，待二极管内温度与温箱温度相等后给二极管通以200μs脉冲电流，所述脉冲电流的幅值与步骤3中所选定的测试电流相同，测出此时二极管的压降，逐渐升高温箱温度，并监测二极管的压降，当测得二极管压降与步骤4中所测得的压降相等时，此时温箱的温度即为步骤4测得的二极管压降Vds所对应的稳定结温TJ，步骤6、根据热阻计算公式，求出所测二极管的热阻值，公式如下：Rθ JA=TJ-TAPH=TJ-TAVds· Ids]]>其中TJ为步骤5中所测得的稳定结温，TA为所设定的环境温度25℃，PH为二极管的输入功率，Vds为步骤4中二极管稳定后的压降，Ids为步骤4中二极管所加的电流值，RθJA为二极管的结到环境热阻值，将所测数据带入上式即可求出待测二极管的结到环境热阻值。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13

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